[发明专利]半导体结构及其制作工艺有效
| 申请号： | 201210177097.4 | 申请日： | 2012-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN103456785B | 公开（公告）日： | 2018-01-02 |
| 发明（设计）人： | 江振国;林俊贤 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/283 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种半导体结构及其制作工艺，该半导体结构包含有一堆叠的金属氧化层位于一基底上，其中堆叠的金属氧化层由上至下包含一第一金属氧化层、一第二金属氧化层以及一第三金属氧化层，且第二金属氧化层的带隙（energy bandgap）小于第一金属氧化层以及第三金属氧化层的带隙；或者，包含有一金属氧化层位于一基底上，其中金属氧化层的带隙沿着垂直基底表面的方向改变。此外，本发明也提供一种半导体制作工艺用以形成上述结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作 工艺 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包含有：堆叠的金属氧化层位于一基底上，其中该堆叠的金属氧化层由上至下包含第一金属氧化层、第二金属氧化层以及第三金属氧化层，且该第二金属氧化层的带隙(energy bandgap)小于该第一金属氧化层以及该第三金属氧化层的带隙，且该第一金属氧化层与该第三金属氧化层的厚度不同，其中该第一金属氧化层的厚度小于该第三金属氧化层的厚度，适于形成一NMOS晶体管的栅极介电层，或该第一金属氧化层的厚度大于该第三金属氧化层的厚度，适于形成一PMOS晶体管的栅极介电层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司，未经联华电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210177097.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
