[发明专利]制造显示设备的方法有效
申请号: | 201210177907.6 | 申请日: | 2012-05-31 |
公开(公告)号: | CN103021938A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 坂野龙则;三浦健太郎;齐藤信美;中野慎太郎;上田知正;山口一 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;G02F1/1368;H01L27/32 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 张欣 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 根据一个实施例,公开了用于制造显示设备的方法。在支承衬底上形成膜材料层。在第一温度执行膜材料层的第一加热过程从而形成膜层,并在高于所述第一温度的第二温度执行围绕着第一区域的第二区域的第二加热过程。所述第一区域被设置在所述膜层的中央部分中。在第一区域中形成显示层且在第二区域的至少一部分中形成外围电路部分。在高于所述第二温度的第三温度为所述膜层的至少一部分执行第三处理过程。另外,膜层被从支承衬底剥离。 | ||
搜索关键词: | 制造 显示 设备 方法 | ||
【主权项】:
一种用于制造显示设备的方法,包括:用于在支承衬底上形成膜材料层的过程;用于在第一温度加热所述膜材料层以形成膜层的第一加热过程;用于在高于所述温度的第二温度下加热围绕着第一区域的第二区域的第二加热过程,所述第一区域设置在所述膜层的中央部分中;用于在所述第一区域的部分中形成显示层且在所述第二区域的至少一部分中形成外围电路部分的过程;用于在高于所述第二温度的第三温度下加热在其中形成所述显示层的范围之外的所述膜层的至少一部分的第三加热过程;以及用于将所述膜层从所述支承衬底剥离的过程。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造