[发明专利]一种铁掺杂三氧化钨光电极的制备方法

摘要

本发明公开了一种铁掺杂三氧化钨光电极的制备方法。包括如下步骤：1)无定形氧化钨薄膜的制备：以ITO导电玻璃为工作电极，铂片电极为对电极，饱和甘汞电极为参比电极，置于电解液中进行电沉积，得到无定形氧化钨薄膜，晾干备用；2)浸渍法掺杂铁：将步骤1)所得无定形氧化钨薄膜置于0.005mol/L的Fe(NO3)3溶液中浸渍20~40分钟，得到铁掺杂氧化钨薄膜，取出后用蒸馏水冲洗，空气中晾干；3)煅烧：将步骤2)所得铁掺杂氧化钨薄膜置于马弗炉中，在450°C下高温煅烧3小时，冷却至室温后取出，得到铁掺杂三氧化钨光电极。本发明的光电转换效率和光电催化活性都显著提高，采用的实验设备简单，易于操作，所使用的原料在自然界丰富，且成本低廉，同时具有环境友好等优点。

主权项

一种铁掺杂三氧化钨光电极的制备方法，其特征在于包括如下步骤：1)无定形氧化钨薄膜的制备：将0.0025~0.0100mol的Na2WO4溶于50mL的蒸馏水，加入0.25~1.00mL质量百分比浓度为30%的H2O2溶液，再加入30mL的异丙醇，搅拌1分钟得到含W2O72‑溶液后用2mol/L的高氯酸或硝酸调节含W2O72‑溶液PH值为1.10~1.40，加蒸馏水到含W2O72‑溶液至体积为100mL，得到澄清的电解液；以ITO导电玻璃为工作电极，铂片电极为对电极，饱和甘汞电极为参比电极，置于电解液中进行电沉积，相对于甘汞电极的阴极电位为‑0.4~ ‑0.6V, 沉积时间为60分钟,得到无定形氧化钨薄膜，晾干备用；2)浸渍法掺杂铁：将步骤1)所得无定形氧化钨薄膜置于0.005mol/L的Fe(NO3)3溶液中浸渍20~40分钟，得到铁掺杂氧化钨薄膜，取出后用蒸馏水冲洗，空气中晾干；3)煅烧：将步骤2)所得铁掺杂氧化钨薄膜置于马弗炉中，在450°C下高温煅烧3小时，冷却至室温后取出，得到铁掺杂三氧化钨光电极。