[发明专利]含钴、镍和硅的铜合金

摘要

一种具有改善的屈服强度与导电性组合的铜合金，基本组成为(以重量计)：1-2.5％镍，0.5-2.0％钴，镍与钴总含量为1.7-4.3％，0.5-1.5％硅，(N i+Co)/S i之比值3.5-6，余者为铜和不可避免的杂质，其中，所述锻造铜合金的导电率超过40％ IACS。通过进一步含有最多1％的银，能够进一步改善屈服强度与导电性的组合以及增加应力松弛抗力。一种制造本发明合金以及其它铜镍硅合金的方法，顺序包括如下步骤：(a).铸造(10)铜合金；(b).热加工(12)所述铸造铜基合金，第一次减小横截面积；(c).固溶处理(14)所述铸造铜基合金，控制处理温度和时间，以便有效基本形成单相合金；(d).对合金实施第一次时效退火(18)，控制退火温度和时间可有效析出一定量的第二相，从而有效形成具有硅化物的多相合金；(e).冷加工(20)所述多相合金，第二次减小横截面积；以及(f).对所述多相合金进行第二次时效退火(22)，退火温度和时间使得有效析出附加的硅化物，从而提高导电性，其中，第二次时效退火温度低于第一次时效退火温度。

主权项

1.一种制造铜基合金的方法，该方法顺序包括如下步骤：(a).铸造含有，以重量计，0.5-5.0％镍和0.1-1.5％硅的铜基合金；(b).热加工所述铸造铜基合金，第一次减小横截面积；(c).在固溶处理温度下固溶处理所述铸造铜基合金，时间为第一种时间，以有效地基本形成单相合金；(d).在所述固溶处理之后不插入任何中间冷加工，在第一次时效退火温度下，对所述基本上单相合金实施第一次时效退火，时间为第二种时间，以有效析出第二相，由此形成多相合金；(e).所述多相合金，第二次减小横截面积；以及(f).在第二次时效退火温度下，对所述多相合金进行第二次时效退火，时间为第三种时间，以便有效析出附加量的所述第二相，其中，所述第二次时效退火温度低于所述第一次时效退火温度。