[发明专利]碱金属铷化合物作为缓冲层或电子注入层的有机半导体器件无效
| 申请号： | 201210179120.3 | 申请日： | 2012-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN102709475A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 李传南;张健;崔国宇;高志杨;刘川;赵毅 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | H01L51/10 | 分类号： | H01L51/10;H01L51/52;H01L51/44 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 张景林;刘喜生 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明属于有机半导体器件技术领域，具体涉及一种应用碱金属铷化合物作为阴极缓冲层材料或电子注入层N型掺杂材料的有机半导体器件。碱金属铷化合物为RbBr、Rb2CO3、Rb2SO4、RbOH、RbNO3、RbClO4，RbCl、RbI、RbF等。本发明将Rb的化合物形成单一阴极缓冲层或与有机材料共掺杂制作在有机半导体器件中有机层和阴极之间，有效地增强了有机半导体器件的电子注入和传输，进而提高有机半导体器件的各项性能。 | ||
| 搜索关键词： | 碱金属 化合物 作为 缓冲 电子 注入 有机 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种有机半导体器件，其特征在于：以Rb化合物作为有机半导体器件的阴极缓冲层材料，该阴极缓冲层处于有机半导体器件的有机层和阴极之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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