[发明专利]晶体管结构与其制造方法无效
| 申请号： | 201210179284.6 | 申请日： | 2012-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN103178089A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 杜尔加·潘德 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/334 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张龙哺;冯志云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明述及一种晶体管结构与其制造方法，该晶体管结构包含一半导体基板；一导体具有一下半部位于该半导体基板内，以及一上半部位于该半导体基板上；一金属层位于该导体的上半部之上；一覆盖层位于该金属层上；一上绝缘层至少位于该金属层以及该覆盖层的侧壁；以及一下绝缘层位于该导体的上半部的侧壁。该制造方法包含形成一凹陷于一半导体基板中；形成一第一导电层于该半导体基板上；形成一第二导电层于该第一导电层上；形成一凹槽于该第一导电层以及该第二导电层中；进行一离子注入步骤，形成一注入区位于该第一导电层中；进行一热处理步骤以形成一扩散区；进行一蚀刻步骤以移除该注入区；以及进行一氧化步骤以转换该扩散区成为一下绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 结构 与其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管结构，包含：一半导体基板(61)；一第一导电层(69)，具有一下半部(69B)位于该半导体基板(61)内，以及一上半部(69A)位于该半导体基板(61)上；一第二导电层(71)，位于该第一导电层(69)的上半部(69A)之上；一覆盖层(73)，位于该第二导电层(71)之上；一上绝缘层(85)，至少位于该第二导电层层(71)以及该覆盖层(73)的侧壁；以及一下绝缘层(83)，位于该第一导电层(69)的上半部(69A)的侧壁。
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