[发明专利]一种基于栅控漏极产生电流提取MOSFET平带电压和阈值电压的方法

摘要

一种基于栅控漏极产生电流提取MOSFET平带电压和阈值电压的方法，它涉及微电子技术领域。它根据MOSFET沟道从积累区、耗尽区到反型区引起的栅控产生电流变化来提取VFB和VTH，包括下列步骤：悬空MOSFET源端电极，漏电电极上施加一小漏电压VD，且|VD|＜＝0.2V；扫描栅电压VG，使沟道从积累区到反型区变化，测量小漏偏压VD下的栅控产生电流；对得到的栅控产生电流曲线IGD进行二次偏导运算得到二次导数和VG的关系曲线。该曲线会形成三个峰值点，得到对应于上升沿的峰值点和对应于下降沿峰值点；从对应于上升沿的峰值点做垂线交于栅压轴得到平带电压VFB。从对应于下降沿峰值点做垂线交于栅压轴得到阈值电压VTH。

主权项

一种基于栅控漏极产生电流提取MOSFET平带电压和阈值电压的方法，其特征在于基于栅控产生电流获取MOSFET平带电压VTB的方法步骤为：1)悬空MOSFET源端电极，漏电电极上施加一小漏电压VD，且|VD|＜＝0.2V；2)扫描栅电压VG，使沟道从积累区到反型区变化，测量漏极电流即得到栅控漏极产生电流IGD；3)对得到的栅控产生电流曲线IGD进行二次偏导运算得到二次导数和栅电压VG的关系曲线，其二次导数曲线会形成对应于IGD‑VG曲线的上升沿的峰值点Pu；4)从Pu点做垂线交于栅电压轴得到一个电压，此电压即为平带电压VFB。