[发明专利]蚀刻液及导体图案的形成方法有效
| 申请号： | 201210179719.7 | 申请日： | 2008-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN102691064A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 户田健次;高垣爱 | 申请（专利权）人： | MEC股份有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/18 | 分类号： | C23F1/18;C23F1/02;H05K3/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 苗堃;陈剑华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供即使连续或反复使用，也可以一边维持图案的顶部形状一边进行蚀刻的铜的蚀刻液，和使用其的导体图案的形成方法。本发明的蚀刻液的特征为，是含有铜离子源、酸及水的铜蚀刻液，其中，含有唑和芳香族化合物，所述唑仅具有氮原子作为存在于环内的杂原子，所述芳香族化合物选自酚类和芳香族胺类中的至少一种。另外，本发明的导体图案的形成方法的特征为，使用上述本发明的蚀刻液，将电绝缘件（1）上铜层的未被抗蚀剂（3）覆盖的部分进行蚀刻，形成导体图案（2）。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 导体 图案 形成 方法 | ||
【主权项】：
蚀刻液，含有铜离子源、酸和水，还含有仅以氮原子作为环内杂原子的唑，以及酚类。
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