[发明专利]伪晶型高电子迁移率晶体管和异质接面双极晶体管磊晶改良结构及其加工方法

摘要

一种伪晶型高电子迁移率晶体管和异质接面双极晶体管磊晶改良结构及其加工方法，其中前述改良结构包括有一基板、一伪晶型高电子迁移率晶体管结构层、一蚀刻终止分隔层以及一异质接面双极晶体管结构层；其中该伪晶型高电子迁移率晶体管结构层的结构包括有一缓冲层、一能障层、一第一通道间格层、一通道层、一第二通道间格层、一萧基能障层、一蚀刻终止层以及至少一覆盖层；并包括一异质接面双极晶体管的加工步骤以及一伪晶型高电子迁移率晶体管的加工步骤。

主权项

一种伪晶型高电子迁移率晶体管改良结构，其特征在于，包括有：一基板；一缓冲层，形成于该基板之上；一能障层，形成于该缓冲层之上；一第一通道间格层，形成于该能障层之上；一通道层，形成于该第一通道间格层之上；一第二通道间格层，形成于该通道层之上；一萧基能障层，形成于该第二通道间格层之上；一蚀刻终止层，形成于该萧基能障层之上；至少一覆盖层，形成于该蚀刻终止层之上；一栅极凹槽，先经由至少一道蚀刻加工，而蚀刻终止于该萧基能障层上方所形成的凹槽；一栅极电极，设置于该栅极凹槽内，该萧基能障层之上；一漏极电极，设置于该覆盖层的一端上；以及一源极电极，设置于该覆盖层的另一端上。