[发明专利]功率器件和制造该功率器件的方法有效
| 申请号： | 201210180130.9 | 申请日： | 2012-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN102881714A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 李哉勋 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种功率器件。由于在形成第一氮化物层之后，第二氮化物层进一步形成在栅电极图案的下部上，所以功率器件在与栅电极图案对应的部分中可以不包括二维电子气体(2-DEG)层，因此，功率器件能够执行常关操作。因此，功率器件可以基于栅极的电压调节2-DEG层的生成，并且可以降低功耗。功率器件可以使仅对应于栅电极图案的部分再生长，或者可以蚀刻除了对应于栅电极图案的部分之外的部分，因此，可以省略凹进工艺，可以确保功率器件的再现性，并且可以简化制造工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种功率器件，所述功率器件包括：基板；半绝缘GaN层，形成在基板上；Al掺杂GaN层，形成在半绝缘GaN层上；第一氮化物层，形成在Al掺杂GaN层上；第二氮化物层，形成在第一氮化物层上；源电极图案和漏电极图案，形成在第一氮化物层上；以及栅电极图案，形成在第二氮化物层上。
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