[发明专利]用于静态随机存储器的驱动器和静态随机存储器有效
| 申请号： | 201210180139.X | 申请日： | 2012-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN103456351A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 潘劲东;史增博;宋丹;仇超文;魏芳伟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413;G11C11/417 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;付伟佳 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于静态随机存储器的驱动器和静态随机存储器。该驱动器，包括：上拉PMOS晶体管和下拉NMOS晶体管，所述上拉PMOS晶体管的源极与供电电压连接，所述下拉NMOS晶体管的源极接地；输入端，所述输入端连接所述上拉PMOS晶体管的栅极和所述下拉NMOS晶体管的栅极；输出端，所述输出端连接所述下拉NMOS晶体管的漏极；其特征在于，还包括一控制晶体管，所述控制晶体管连接在所述上拉PMOS晶体管的漏极和所述下拉NMOS晶体管的漏极之间。根据本发明的驱动器通过减小上拉PMOS晶体管和下拉NMOS晶体管的同时导通时间而减小驱动器内的峰值电流，进而提高应用该种驱动器的静态随即存储器的稳定性和可靠性，此外还可以减小驱动器的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 静态 随机 存储器 驱动器 | ||
【主权项】：
一种用于静态随机存储器的驱动器，包括：上拉PMOS晶体管和下拉NMOS晶体管，所述上拉PMOS晶体管的源极与供电电压连接，所述下拉NMOS晶体管的源极接地；输入端，所述输入端连接所述上拉PMOS晶体管的栅极和所述下拉NMOS晶体管的栅极；输出端，所述输出端连接所述下拉NMOS晶体管的漏极；其特征在于，还包括一控制晶体管，所述控制晶体管连接在所述上拉PMOS晶体管的漏极和所述下拉NMOS晶体管的漏极之间。
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