[发明专利]绿碳化硅合成工艺方法有效
| 申请号： | 201210180639.3 | 申请日： | 2012-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN102718218A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 孙福龙;赵建立;由远洪;白周义;焦松强 | 申请（专利权）人： | 新疆豫丰光伏材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B31/36 | 分类号： | C01B31/36 |
| 代理公司： | 石河子恒智专利代理事务所 65102 | 代理人： | 李伯勤 |
| 地址： | 832000 新疆维吾尔自*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种绿碳化硅合成工艺方法，包括装填料、恒功率冶炼、冷却和出料工序流程，其要点是：在本轮合成时，至少在反应区（3）中装填前轮合成中使用过的侧焙烧区（12）及上焙烧区（13）的物料进行合成反应；将前轮合成中使用过的底焙烧区（11）的焙烧料填装到本轮的侧焙烧区（12）和上焙烧区（13）进行二次焙烧。与现有技术相比，本发明采用二次焙烧和反应工艺，能有效防止原材料及炉底部焙烧过程中杂质直接进入到下一炉反应区，影响绿碳化硅的生成及成色，同时也替换掉长期循环使用的保温物料，不仅提高了绿碳化硅产品的品质，还大大降低了能耗。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 合成 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种绿碳化硅合成工艺方法，包括装填料、恒功率冶炼、冷却和出料工序流程，将合成炉内的炉膛以两端炉头的电极为轴线划分为导电石墨区（4），以导电石墨区（4）从中心向外依次划分为分解区（3）、反应区（2）和焙烧区（1），其特征在于：在本轮合成时，至少在反应区（3）中装填前轮合成中使用过的侧焙烧区（12）及上焙烧区（13）的物料进行合成反应；将前轮合成中使用过的底焙烧区（11）的焙烧料填装到本轮的侧焙烧区（12）和上焙烧区（13）进行二次焙烧。
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