[发明专利]一种丰水梨试管苗生根的制备方法有效

专利信息
申请号: 201210180740.9 申请日: 2012-06-04
公开(公告)号: CN103444522A 公开(公告)日: 2013-12-18
发明(设计)人: 李国怀;李果果;梁晓梅;彭抒昂 申请(专利权)人: 华中农业大学
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00
代理公司: 武汉宇晨专利事务所 42001 代理人: 王敏峰
地址: 430070 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种丰水梨试管苗生根的制备方法,其步骤:A、取丰水梨一年生枝茎段培育无菌试管苗:无菌试管苗切成带腋芽茎段进行消毒处理,基部切成斜面插入到腋芽培养培养基中,昼夜光照周期培养;B、无菌试管苗继代增殖:将培养后无菌且生长健壮的腋芽苗从茎段上切下接种于继代培养基中,昼夜光照周期培养;C、将丰水梨试管苗转入生根培养基中,诱导生根;接种到第一生根培养基上先暗培养,再转接到第二生根培养基中光培养获得生根植株,昼夜光照周期培养;D、将完成生根的幼苗于光照培养箱中进行移栽炼苗,成活后移植于盆栽。方法易行,操作简便,解决了丰水梨试管苗组织培养过程中难生根的问题,生根率高、根系发达且移栽成活率高。
搜索关键词: 一种 丰水梨 试管 生根 制备 方法
【主权项】:
一种丰水梨试管苗生根的制备方法,其步骤是:A、取丰水梨一年生枝茎段培育无菌试管苗:无菌试管苗培育方法是于生长季剪取大田丰水梨一年生枝,切成带腋芽茎段1.5cm‑2.0cm进行消毒处理,消毒后的茎段上端切成平面,基部切成斜面插入到腋芽培养培养基中,进行昼夜光照周期培养,光照强度为2000lux‑3000lux,培养温度为23℃‑27℃,光周期为16h/8h;所述的茎段培养培养基为:LP基本培养基+IBA0.4mg/L+6‑BA0.5mg/L+泛酸钙1.0mg/L+生物素0.1mg/L+核黄素0.5mg/L+维生素C1.0mg/L+蔗糖20.0g/L+琼脂6.8g/L,pH:5.8‑6.0;B、无菌试管苗继代增殖:增殖方法是将培养28d‑32d后无菌且生长的腋芽苗从茎段上切下接种于继代培养基中,稍带部分木质部,以后每28‑32d继代一次,以步骤(A)所述的条件进行昼夜光照周期培养,在生长形成1.5 cm高度的进行生根培养试管苗的同时,形成2‑5个新芽以进行继代增殖培养;所述的试管苗继代增殖培养基为:LP基本培养基 + IBA0.4mg/L+6‑BA0.5mg/L+泛酸钙1.0mg/L+生物素0.1mg/L+核黄素0.5mg/L +蔗糖20.0g/L +琼脂6.8g/L,pH:5.8‑6.0;C、将丰水梨试管苗转入生根培养基中,诱导生根;待步骤(B)的试管苗生长到1.5cm,将其切成单株,接种到第一生根培养基上先暗培养6d‑8d,再光培养2d‑4d,再转接到第二生根培养基中光培养23d‑27d获得生根植株,培养条件为步骤(A)所述的昼夜光照周期培养;所述的第一生根培养基配方为:1/4MS 大量元素:包含KNO3,NH4NO3,MgSO4·7H2O,KH2PO4,CaCl2·2H2O+1/2MS 微量元素:包含MnSO4·4H2O,ZnSO4·7H2O,H3BO3,KI,Na2MoO4·2H2O,CuSO4·5H2O,CoCl2·6H2O+MS铁盐:包含Na2·EDTA·2H2O,FeSO4·7H2O+ MS有机物:包含盐酸硫胺素、盐酸吡哆醇、烟酸、肌醇、甘氨酸+IBA0.5mg/L+NAA0.1mg/L+间苯三酚80.0mg/L +泛酸钙1.0mg/L+生物素0.1mg/L+核黄素0.5mg/L+蔗糖20.0g/L+琼脂6.0g/L,pH:5.8‑6.0,暗培养6d‑8d,然后转移至光培养养2d‑4d;将诱导生根培养8d‑12d的丰水梨试管苗转入第二生根继代培养基中培养;所述的生根培养基配方为:LP基本培养基+泛酸钙1.0mg/L+生物素0.1mg/L+核黄素0.5mg/L+蔗糖20.0g/L+琼脂5.0g/L,pH:5.8‑6.0;D、将步骤C培养基中完成生根的幼苗于光照培养箱中进行移栽炼苗,成活后移植于盆栽或大田培养,所述的试管苗移栽方法是:用镊子将生根的试管苗从培养基中取出,用清水洗去基部残留的培养基,移栽到装有育苗基质的塑料杯中,成活后移入盆栽。
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