[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 201210181081.0 | 申请日： | 2012-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN102811048A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 榊原清彦 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H03K19/08 | 分类号： | H03K19/08 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;董典红 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件，被配置成使其差分对可以在高消耗电流的高速状态和在低消耗电流的低速状态两者中工作。差分电路包括：差分对晶体管；以及拖尾电流源，用于供给可切换的拖尾电流，使得在所述差分对晶体管中流动的电流量可以在至少两个不同水平的状态之间切换。所述差分对晶体管具有σ值(ΔI/gm)随着所述差分对晶体管中流动的电流的减少而单调减少的特性，其中，σ表示标准偏差，ΔI表示所述差分对晶体管中电流量的差值，且gm表示所述差分对晶体管的跨导。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：差分对晶体管；以及拖尾电流源，配置成供给可切换的拖尾电流，使得在所述差分对晶体管中流动的电流量可以在至少两个水平之间切换；其中，所述差分对晶体管中的每个都具有σ值(ΔI/gm)随着所述差分对晶体管中流动的电流的减少而单调减少的特性，其中，σ表示标准偏差，ΔI表示所述差分对晶体管中电流量的差值，且gm表示所述差分对晶体管的跨导。
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