[发明专利]RFLDMOS工艺中的ESD器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210181338.2 | 申请日： | 2012-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN103050510A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 刘冬华;段文婷;胡君;王邦麟;石晶;钱文生 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种RFLDMOS工艺中的ESD器件，ESD器件为N型LDMOS器件，在多晶硅栅源端一侧的P阱中形成有N型轻掺杂漏注入区和N型源漏注入区，在多晶硅栅的漏端一侧的P阱中形成有N型源漏注入区、第二N型轻掺杂漏注入区和用于降低ESD器件的击穿电压的第二P型轻掺杂漏注入区，第二P型轻掺杂漏注入区位于N型源漏注入区的外侧并且第二P型轻掺杂漏注入区的结深大于等于第二N型源漏注入区的结深。本发明还公开了一种RFLDMOS工艺中的ESD器件的制造方法。本发明能减少一道额外的ESD器件的源漏注入光罩，能降低工艺的复杂性，减少工艺成本，提高RFLDMOS工艺的竞争力。 | ||
| 搜索关键词： | rfldmos 工艺 中的 esd 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种RFLDMOS工艺中的ESD器件，ESD器件为N型LDMOS器件，包括：形成于P阱之上的多晶硅栅，所述多晶硅栅和所述P阱之间隔离有栅介质层；在所述多晶硅栅的两侧侧面上形成有侧墙；在所述多晶硅栅的源端一侧的所述P阱中形成有N型轻掺杂漏注入区和N型源漏注入区，所述N型轻掺杂漏注入区的边缘和其邻近的所述多晶硅栅的边缘对准，源端一侧的所述N型源漏注入区的边缘和其邻近的所述侧墙的外侧边缘对准；源端一侧的所述N型源漏注入区的结深大于所述N型轻掺杂漏注入区的结深；其特征在于，还包括：在所述多晶硅栅的漏端一侧的所述P阱中形成有第二N型轻掺杂漏注入区、N型源漏注入区以及用于降低所述ESD器件的击穿电压的第二P型轻掺杂漏注入区；所述第二N型轻掺杂漏注入区的边缘和其邻近的所述多晶硅栅的边缘对准，漏端一侧的所述N型源漏注入区的边缘和其邻近的所述侧墙的外侧边缘相隔一段距离；所述第二P型轻掺杂漏注入区的靠近所述多晶硅栅一侧的内侧边缘位于漏端一侧的所述N型源漏注入区的远离所述多晶硅栅一侧的外侧边缘的外侧，且所述第二P型轻掺杂漏注入区的内侧边缘和漏端一侧的所述N型源漏注入区的外侧边缘相隔一横向距离；所述N型源漏注入区的结深小于所述第二N型轻掺杂漏注入区的结深、且所述N型源漏注入区位于所述第二N型轻掺杂漏注入区中；所述第二P 型轻掺杂漏注入区的结深大于等于所述第二N型轻掺杂漏注入区的结深，所述第二P型轻掺杂漏注入区的底部和所述P阱相接触、所述第二P型轻掺杂漏注入区的周侧和所述第二N型轻掺杂漏注入区相接触。
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