[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
申请号: | 201210181498.7 | 申请日: | 2012-06-04 |
公开(公告)号: | CN103456848A | 公开(公告)日: | 2013-12-18 |
发明(设计)人: | 张源孝 | 申请(专利权)人: | 华夏光股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/04;H01L33/14;H01L27/15 |
代理公司: | 北京泛诚知识产权代理有限公司 11298 | 代理人: | 陈波;文琦 |
地址: | 开曼群岛KY1-11*** | 国省代码: | 开曼群岛;KY |
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摘要: | 一种半导体装置,形成至少一磊晶结构于基板上。切割并剥离基板的一部分,以曝露磊晶结构的部分表面。接着,形成第一电极于磊晶结构的曝露表面,因而形成垂直式半导体装置。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体装置的制造方法,包含:提供一基板;形成至少一磊晶结构于该基板上;切割并剥离所述基板的一部分,以曝露该磊晶结构的一部分表面;及形成一第一电极于所述部份表面。
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