[发明专利]电子部件、半导体封装件和电子器件

摘要

在常规UBM例如Cu、Ni或NiP中，存在的这样问题：在长时间将电子部件保持在高温条件下时导致UBM的阻挡特性被破坏，并且由于在结合界面形成脆性的合金层，导致结合强度降低。焊料连接部分在高温下储存之后长期连接可靠性降低的问题得到了解决。电子部件上提供有：安置在基板或半导体元件上的电极片；和为覆盖所述电极片而安置的阻挡金属层。所述阻挡金属层在与所述电极片接触侧相反的一侧上包含CuNi合金层，所述CuNi合金层含有15至60原子％的Cu和40至85原子％的Ni。

主权项

一种半导体封装件，所述的半导体封装件包括：多个电子构件，所述电子构件由基板和半导体元件中的至少一个形成；电极片，所述电极片形成在每一个所述电子构件上；阻挡金属层，所述阻挡金属层被形成用于覆盖所述电极片；CuNiSn合金层，所述CuNiSn合金层具有等于或低于2.3的平均Ni/Cu比率，并且被形成用于覆盖所述阻挡金属层；含P的P‑富含NiCuSnP层或含P的P‑富含NiSnP层，其形成在所述阻挡金属层和所述CuNiSn合金层之间；和焊料凸起，所述焊料凸起被形成，以经由所述阻挡金属层、所述CuNiSn合金层和所述含P的P‑富含NiCuSnP层或所述含P的P‑富含NiSnP层将形成在不同的电子构件上的所述电极片相互电连接，其中所述阻挡金属层包含与所述含P的P‑富含NiCuSnP层或所述含P的P‑富含NiSnP层接触的CuNiP合金层，所述CuNiP合金层含有等于或高于15原子％的Cu、等于或高于40原子％的Ni和高于0原子％并且等于或低于25原子％的P。