[发明专利]鳍型反熔丝结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201210183500.4 | 申请日： | 2012-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN103456711A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 甘正浩;冯军宏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种鳍型反熔丝结构，具有类似多鳍片FinFET的结构，可实现在合理编程电压下的不同鳍片本身和/或栅电极之间的导通，从而可以提供用于进行逻辑操作的更多不同的电阻值，同时可以提高长时间工作状态下的反熔丝可靠性；本发明提供的鳍型反熔丝结构及其制造方法可以满足对高密度、多电阻、低工艺成本的反熔丝结构的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍型反熔丝 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍型反熔丝结构，其特征在于，包括：衬底；平行排列于所述衬底上且垂直于所述衬底的多个鳍片；位于所述衬底中且用于隔离各个鳍片的隔离结构；以及沿所述鳍片排列方向围绕各个鳍片的栅介质以及围绕栅介质的栅电极，所述栅介质在所述鳍片排列区域内相互孤立。
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