[发明专利]一种CdX量子点及其制备方法

摘要

本发明涉及一种水相中利用简易的操作条件制备高量子产率CdX（X=Se或Te）量子点纳米材料的方法，属于纳米材料制备领域。该制备方法不需要氮气作为保护气体，也不需要缓冲溶液、特殊配体、大量的水合肼等还原剂和特殊的后处理，在水相中利用巯基化合物作为配体，选用镉盐与亚碲（硒）酸钾分别作为镉源和碲（硒）源，利用硼氢化钠作为还原剂，一锅反应便可制备出量子产率高达83%的水溶性CdTe（CdSe）量子点。

主权项

一种CdX量子点的制备方法，为水相一锅法，包括下述工艺步骤：a.搅拌下向浓度为0.2~2.0mmol/L的镉盐溶液中加入巯基化合物，其与镉盐的摩尔比为0.5~5：1，加入巯基化合物后调节溶液的pH值为8~12，得镉的前驱体溶液；b.向步骤a制得的镉的前体溶液中加入浓度为0.2~2.0mmol/L的亚硒酸钾或亚碲酸钾溶液，镉盐与亚硒酸钾或亚碲酸钾的摩尔比为1:0.2~1.0，搅拌；c.向步骤b制得的溶液中加入硼氢化钠，亚硒酸钾或亚碲酸钾与硼氢化钠摩尔比为1：5~20，在80~100℃下恒温加热回流5分钟到18小时，得CdX量子点溶液；d.向步骤c制得的CdX量子点溶液中加入丙酮洗涤，离心后将获得的沉淀物溶于水中，得水溶性CdX量子点，其中，X=Se或Te；所述镉盐选自乙酸镉、氯化镉或硝酸镉中的一种；所述巯基化合物选自巯基乙酸、巯基丙酸、硫代甘油或L‑半胱氨酸中的一种。