[发明专利]一种自偏置巨磁阻抗传感器探头及其制备方法有效
| 申请号： | 201210183681.0 | 申请日： | 2012-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN102707247A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 钟智勇;刘爽;张怀武;唐晓莉;苏桦;白飞明 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;G01R3/00 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种自偏置巨磁阻抗传感器探头及其制备方法，属于信息功能器件技术领域。探头，包括非晶带状磁性材料和位于非晶带状磁性材料表面两端的金属对电极，所述金属对电极之间的非晶带状磁性材料两面分别沉积有一层钴铁氧体薄膜；上下两层钴铁氧体薄膜具有沿非晶带状磁性材料长度方向一致的硬磁相特性。探头制备时采用射频磁控溅射工艺在非晶带状磁性材料上沉积钴铁氧体薄膜和采用充磁机对钴铁氧体薄膜充磁使其呈现硬磁相的关键工艺。本发明提供的自偏置巨磁阻抗传感器探头具有体积小、易集成、无额外功耗的特点；产品制备简单、工艺可控、稳定性高；能够获得更宽范围的线性工作区，并大幅提高灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 偏置 磁阻 传感器 探头 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种自偏置巨磁阻抗传感器探头，包括非晶带状磁性材料（2）和位于非晶带状磁性材料（2）表面两端的金属对电极（3）；其特征在于，所述金属对电极（3）之间的非晶带状磁性材料（2）两面分别沉积有一层钴铁氧体薄膜（1）；上下两层钴铁氧体薄膜（1）具有沿非晶带状磁性材料（2）长度方向一致的硬磁相特性。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210183681.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
