[发明专利]一种双介孔孔隙、高(100)晶面碳化钨材料的制备方法有效

专利信息
申请号: 201210183758.4 申请日: 2012-06-01
公开(公告)号: CN102689902A 公开(公告)日: 2012-09-26
发明(设计)人: 马淳安;陈赵扬;褚有群;祝爱娟 申请(专利权)人: 浙江工业大学
主分类号: C01B31/34 分类号: C01B31/34
代理公司: 杭州天正专利事务所有限公司 33201 代理人: 黄美娟;俞慧
地址: 310014 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种双介孔孔隙、高(100)晶面碳化钨材料的制备方法,所述制备方法具体如下:(1)配置偏钨酸铵与硫酸铜的混合水溶液,在超声振荡下以50~200μL/min的速度滴加质量浓度5~50%的碳酸铵水溶液沉淀出固体颗粒,滴加完毕后过滤得到前驱体颗粒;(2)前驱体颗粒经60~100℃真空干燥后,置于管式炉中进行碳化处理,得到介孔碳化钨复合材料;(3)将介孔碳化钨复合材料进行酸处理,得到双介孔孔隙碳化钨材料。本发明制得的双介孔孔隙WC由纳米WC颗粒堆积而成,且WC(100)面的生长获得了促进,从而提高了WC对H2的吸脱附能力,增强了其电催化性能。
搜索关键词: 一种 双介孔 孔隙 100 碳化 材料 制备 方法
【主权项】:
一种双介孔孔隙碳化钨材料的制备方法,所述制备方法具体如下:(1)按照含有W:Cu质量比为1:0.1~1配置偏钨酸铵与硫酸铜的混合水溶液,在超声振荡下以50~200μL/min的速度滴加浓度5~50wt%的碳酸铵水溶液沉淀出固体颗粒,滴加完毕后过滤得到前驱体颗粒;(2)前驱体颗粒经60~100℃真空干燥后,置于管式炉中在CO/H2气氛中按照2~10℃/min程序升温至700~900℃进行碳化处理2~8小时,得到介孔碳化钨材料;所述CO/H2气氛中CO和H2的体积比为1:1.1~2.5;(3)将介孔碳化钨复合材料进行酸处理,得到双介孔孔隙碳化钨材料。
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