[发明专利]硅靶材表面处理方法无效
| 申请号： | 201210183787.0 | 申请日： | 2012-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN102816994A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 黄建尧;孙明义;余建辉 | 申请（专利权）人： | 鑫科材料科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/14 | 分类号： | C23C14/14;C23C14/34;B24B7/22 |
| 代理公司： | 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 | 代理人： | 翟国明 |
| 地址： | 中国台湾高雄市冈*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种硅靶材表面处理方法，以多个弹性针状物对一硅靶材进行研磨，使得该多个弹性针状物伸入该硅靶材表面的微孔隙均匀施予研磨切削力，以去除该硅靶材表面的微裂痕，其中该硅靶材去除表面微裂痕后的表面粗度为0.1至0.3微米。由此，可以延缓生成于该硅靶材表面的氧化硅膜产生剥离的现象，以延长该硅靶材的使用寿命，且提升该氧化硅膜溅镀于基材表面的速率及质量。 | ||
| 搜索关键词： | 硅靶材 表面 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种硅靶材表面处理方法，其特征在于，以多个弹性针状物对一个硅靶材进行研磨，使得该多个弹性针状物伸入该硅靶材表面的微孔隙均匀施予研磨切削力，以去除该硅靶材表面的微裂痕，其中该硅靶材去除表面微裂痕后的表面粗度为0.1至0.3微米。
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