[发明专利]正高压电荷泵有效
申请号: | 201210184066.1 | 申请日: | 2012-06-05 |
公开(公告)号: | CN102710122A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 王源;丁健平;高晓敏;黄鹏;杜刚;康晋峰;张兴 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | H02M3/07 | 分类号: | H02M3/07 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王莹 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及集成电路技术领域,公开了一种正高压电荷泵,包括多级串联的电荷泵电路,以及一级输出电路,所述输出电路的输入端与最后一级所述电荷泵电路的输出端连接。本发明通过增加辅助电路降低电荷泵电路中PMOS栅极电压,提高其栅极与源极的电压差,使开关导通时PMOS栅压为零,从而减小导通时的电压损失并提高PMOS导通性能,从而增强开关泵送电荷能力。 | ||
搜索关键词: | 高压 电荷 | ||
【主权项】:
一种正高压电荷泵,其特征在于,包括多级串联的电荷泵电路,以及一级输出电路,所述输出电路的输入端与最后一级所述电荷泵电路的输出端连接;其中,每一级所述电荷泵电路包括一个NMOS管、两个PMOS管和一个电容器,所述电容器的一端、第一PMOS管的漏极和衬底,以及第二PMOS管的源极和衬底相连在一起,并作为本级电荷泵电路的输出端,第二PMOS管的漏极、NMOS管的漏极和第一PMOS管栅极相连在一起;所述NMOS管的栅极与控制信号相连,所述电容器的另一端与时钟信号相连,所述NMOS管的源极、衬底接地,第一PMOS管的源极与第二PMOS管的栅极相连,作为本级电荷泵电路的输入端,与输入电压或上一级电荷泵电路的输出端相连。所述输出电路为所述电荷泵电路去除电容器之后形成的电路。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学,未经北京大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210184066.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。