[发明专利]具有多磁层及中间双成核膜的垂直磁记录盘无效

专利信息
申请号: 201210184256.3 申请日: 2012-06-06
公开(公告)号: CN102820039A 公开(公告)日: 2012-12-12
发明(设计)人: E.E.马里内罗;D.K.韦勒;B.R.约克 申请(专利权)人: 日立环球储存科技荷兰有限公司
主分类号: G11B5/66 分类号: G11B5/66;G11B5/82
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 张波
地址: 荷兰阿*** 国省代码: 荷兰;NL
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及垂直磁记录盘,其具有由至少两个铁磁交换耦合的CoPtCr氧化物磁层(MAG1和MAG2)形成的分级各向异性记录层(RL),两个成核层(NF1和NF2)位于磁层之间。NF1是在低压于MAG1上溅射沉积至约0.1-1.5nm厚的金属膜,优选地为Ru或基于Ru的合金如RuCr。NF2是在高压于NF1上溅射沉积至约0.2-1.0nm厚的金属氧化物膜,优选地为Ta的氧化物。MAG2溅射沉积在NF2上。与没有MAG1和MAG2之间的成核膜的分级各向异性RL相比,NF1和NF2提供了RL中平均晶粒尺寸的显著减小,同时也确保MAG1和MAG2强地交换耦合。
搜索关键词: 具有 多磁层 中间 成核 垂直 记录
【主权项】:
一种垂直磁记录盘,包括:衬底;在所述衬底上的导磁材料的衬层;非磁中间层,位于所述衬层上并包括选自Ru和Ru合金的材料;垂直磁记录层,包括:第一磁层,包括在所述非磁中间层上的颗粒铁磁合金,该颗粒铁磁合金包括Co、Pt和Cr、以及Si、Ta、Ti、Nb和B中的一种或多种的一种或多种的氧化物;在所述第一磁层上的第一成核膜,包括从Ru和基于Ru的合金选出的材料,并具有大于或等于0.1nm且小于或等于1.5nm的厚度;在所述第一成核膜上的第二成核膜,包括从由Ta、Nb、Ti、Si、Mn和Hf组成的组选出的元素的一种或多种氧化物,并具有大于或等于0.2nm且小于或等于1.0nm的厚度;及在所述第二成核膜上的颗粒铁磁合金的第二磁层,该颗粒铁磁合金包括Co、Pt和Cr、以及Si、Ta、Ti、Nb和B中的一种或多种的一种或多种的氧化物,其中所述第二磁层具有大于所述第一磁层的各向异性场的各向异性场。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日立环球储存科技荷兰有限公司,未经日立环球储存科技荷兰有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210184256.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top