[发明专利]小线宽沟槽式功率MOS晶体管的制备方法

摘要

本发明公开了一种小线宽沟槽式功率MOS晶体管的制备方法，包括步骤：1）刻蚀倒梯形沟槽；2）在沟槽内生长栅氧，并沉积栅极多晶硅；3）回刻栅极多晶硅，并过刻蚀至沟槽内部；4）沉积二氧化硅层间电介质，使沟槽上部完全填满；5）回刻二氧化硅层间电介质至与沟槽齐平；6）进行阱、源注入；7）回刻二氧化硅层间电介质至外延表层；8）自对准接触孔刻蚀；9）沉积顶层金属，按照现有工艺完成MOS管的制备。本发明通过改进栅极沟道及介质层的结构，利用氧化硅与硅的刻蚀速率不同的原理，进行自对准接触孔刻蚀，从而解决了传统工艺在线宽缩小过程中遇到的接触孔套刻精度问题，使线宽的进一步缩小成为可能。

主权项

1.小线宽沟槽式功率MOS晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1）刻蚀倾斜角度为87～89度的倒梯形沟槽；2）在沟槽内生长厚度为的栅极氧化层，然后沉积厚度为的栅极多晶硅；3）回刻栅极多晶硅，并过刻蚀至沟槽内部2000～3000埃；4）沉积二氧化硅层间电介质，使沟槽上部完全填满；5）回刻二氧化硅层间电介质，直至二氧化硅层间电介质与沟槽齐平，且外延层上残留的二氧化硅层间电介质厚度在200～300埃；6）进行阱区和源区的注入，所述源区的注入深度为4000～5000埃；7）回刻二氧化硅层间电介质至外延层的表层；8）自对准接触孔刻蚀，形成接触孔和接触孔注入区；9）沉积厚度为3.5～4微米的顶层金属，后续按照现有工艺完成功率MOS晶体管的制备。