[发明专利]发光二极管的制备方法有效
| 申请号： | 201210185699.4 | 申请日： | 2012-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN103474523A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 朱钧;张淏酥;李群庆;金国藩;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：步骤a：提供一基底，该基底具有一外延生长面；步骤b：在基底的外延生长面外延生长一有源层，该有源层包括一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层依次层叠设置于所述基底的一表面，且所述第一半导体层靠近基底设置；步骤c：形成一金属等离子体产生层于所述第二半导体层远离基底的一侧；步骤d：形成一折射率与所述有源层的整体的等效折射率之差小于0.3的第一光学对称层；步骤e：去除所述基底，暴露出所述第一半导体层；以及步骤f：在所述第一半导体层暴露的表面制备一第一电极，制备一第二电极与所述第二半导体层电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：步骤a：提供一基底，该基底具有一外延生长面；步骤b：在基底的外延生长面外延生长一有源层，该有源层包括一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层依次层叠设置于所述基底的一表面，且所述第一半导体层靠近基底设置；步骤c：形成一金属等离子体产生层于所述第二半导体层远离基底的一侧；步骤d：形成一折射率与所述有源层的整体的等效折射率之差小于0.3的第一光学对称层于金属等离子体产生层远离基底的表面；步骤e：去除所述基底，暴露出所述第一半导体层；以及步骤f：在所述第一半导体层暴露的表面制备一第一电极，制备一第二电极与所述第二半导体层电连接。
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