[发明专利]发光二极管有效
| 申请号： | 201210185723.4 | 申请日： | 2012-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN103474534A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 张淏酥;朱钧;李群庆;金国藩;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/02;H01L33/22 |
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| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发光二极管，其包括：一第一半导体层，所述第一半导体层具有相对的一第一表面及一第二表面；一活性层及一第二半导体层依次层叠设置于所述第一半导体层的第二表面；一第一电极覆盖所述第一半导体层的第一表面；一第二电极与所述第二半导体层电连接；进一步包括，一第三光学对称层设置于所述第二半导体层远离基底的表面并接触设置；一金属层设置于所述第三光学对称层远离基底的表面并接触设置；一第四光学对称层设置于所述金属层远离基底的表面并接触设置；以及一第一光学对称层设置于所述第四光学对称层远离基底的表面并接触设置。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，其包括：一第一半导体层，所述第一半导体层具有相对的一第一表面及一第二表面；一活性层及一第二半导体层依次层叠设置于所述第一半导体层的第二表面，所述第一半导体层、活性层以及第二半导体层构成一有源层；一第一电极覆盖所述第一半导体层的第一表面；一第二电极与所述第二半导体层电连接；其特征在于：进一步包括，一第三光学对称层设置于所述第二半导体层远离基底的表面并接触设置，所述第三光学对称层的折射率的范围为1.2至1.5；一金属层设置于所述第三光学对称层远离基底的表面并接触设置；一第四光学对称层设置于所述金属层远离基底的表面并接触设置，所述第四光学对称层的折射率的范围为1.2至1.5；以及一第一光学对称层设置于所述第四光学对称层远离基底的表面并接触设置，所述第一光学对称层的折射率n1与所述缓冲层和有源层的整体的等效折射率n2的差值n1小于等于0.3，其中n1=|n1-n2|。
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