[发明专利]半导体存储器件有效
| 申请号： | 201210185828.X | 申请日： | 2012-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN103093800B | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 金镕美 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人： | 俞波,郭放 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体存储器件包括管道锁存电路，所述管道锁存电路被配置成响应于使能信号而将管道锁存电路的输出端子设定在预定电压电平或者接收并行输入的数据并输出串行数据；以及同步电路，所述同步电路被配置成与内部时钟同步地输出管道锁存电路的输出数据。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件，包括：管道锁存电路，所述管道锁存电路被配置成响应于使能信号而将所述管道锁存电路的输出端子设定在预定电压电平或者接收并行输入的数据并输出串行数据；以及同步电路，所述同步电路被配置成与内部时钟同步地输出所述管道锁存电路的输出数据，其中，所述使能信号包括第一使能信号和第二使能信号，所述第一使能信号用于在片上终端模式下将片上终端单元使能，所述第二使能信号在读取操作期间在数据选通信号的前导时段中被使能，以及所述管道锁存电路被配置成在所述第一使能信号和所述第二使能信号中的任意一个被使能时将所述管道锁存电路的输出端子设定在所述预定电压电平。
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