[发明专利]用于发光二极管的光学元件、发光二极管、LED装置以及制造LED装置的方法无效

专利信息
申请号: 201210185981.2 申请日: 2007-09-17
公开(公告)号: CN102709457A 公开(公告)日: 2012-10-03
发明(设计)人: M.罗斯;S.韦伯-拉布西尔伯;A.威尔姆 申请(专利权)人: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
主分类号: H01L33/58 分类号: H01L33/58;H01L33/48
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 臧永杰;刘春元
地址: 德国雷*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 说明了一种用于发光二极管(3)的带有辐射出射面(40)的光学元件(4),其中光学元件(4)适于产生违反旋转对称性的辐射特性。此外,还说明了带有这种光学元件的发光二极管(3)以及带有多个被布置在支承体(2)上的发光二极管(3)的LED装置(1),其中分别给所述发光二极管(3)分配自身的光学元件(4),所述自身的光学元件(4)被布置和被构造来使得相应的发光二极管(3)的辐射特性被成形为具有被违反的旋转对称性,并且其中光学元件(4)以相似的方式被实施。
搜索关键词: 用于 发光二极管 光学 元件 led 装置 以及 制造 方法
【主权项】:
带有辐射出射侧和光学元件(4)的发光二极管(3),其中,‑光学元件(4)被布置和被构造为使得发光二极管(3)具有带有被违反的旋转对称性的辐射特性;‑发光二极包含发光二极管器件(5),其中发光二极管器件(5)具有发光二极管芯片(6)和壳体(55),并且发光二极管芯片(6)被布置在壳体(55)中;‑光学元件(4)借助壳体的对于在发光二极管芯片中所产生的辐射反射性地被构造的部分来构造;和‑光学元件(4)的纵向变形(a)与光学元件(4)的横向变形(b)在俯视到辐射出射侧上的比为1.5:1或更大。
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