[发明专利]横向双扩散金属氧化物半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210186490.X | 申请日： | 2012-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN103474462A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 黄宗义 | 申请（专利权）人： | 立锜科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈肖梅;谢丽娜 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提出一种横向双扩散金属氧化物半导体(lateral double diffused metal oxide semiconductor,LDMOS)元件及其制造方法。LDMOS元件形成于第一导电型基板中，包含高压井区、第一场氧化区、至少一第二场氧化区、源极、漏极、本体区、以与门极；其中，由俯视图视之，第二场氧化区位于第一场氧化区与漏极之间，该高压井区中的第二导电型杂质浓度的分布，相关于该第二场氧化区的位置。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种横向双扩散金属氧化物半导体元件，形成于一第一导电型基板中，该基板具有一上表面，其特征在于，包含：一第二导电型高压井区，形成于该上表面下的该基板中；一第一场氧化区，形成于该上表面上，由俯视图视之，该第一场氧化区位于该高压井区中；一栅极，形成于该上表面上，且该栅极包括一第一部分，位于该第一场氧化区上；一第二导电型源极与一第二导电型漏极，分别形成于该栅极两侧的该上表面下方；一第一导电型本体区，形成于该上表面下该基板中，与该源极位于该栅极同侧，且该源极位于该本体区中；以及至少一第二场氧化区，形成于该上表面上，由俯视图视之，该第二场氧化区位于该第一场氧化区与该漏极之间。
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