[发明专利]实现高温高压的连续流动型微流控芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 201210186933.5 | 申请日： | 2012-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN102716771A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 谢飞;王宝军;王玮 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | B01L3/00 | 分类号： | B01L3/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 邵可声 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种实现高温高压的连续流动型微流控芯片及其制备方法。该微流控芯片包括入口、混合区、加热区、增压区和出口；混合区实现反应物的混合，加热区提供高温的反应环境，增压区为加热区提供高压环境；加热区和和增压区设有测温传感电阻。该方法首先通过光刻和DRIE定义微流体通道图形；然后通过硅-玻璃阳极键合制作微流体通道；再采用PECVD淀积SiO2并剥离制作传感电阻和加热电阻；最后通过光刻和DRIE制作入口和出口。本发明可高效、安全地实现各类需要在高温高压下进行的化学、生物反应。 | ||
| 搜索关键词： | 实现 高温 高压 连续 流动 型微流控 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种连续流动型微流控芯片，其特征在于，包括入口、混合区、加热区、增压区和出口，各部分之间通过微流体通道依次连接；所述混合区实现反应物的混合；所述加热区设有加热电阻，提供高温的反应环境；所述增压区为高流阻区，为所述加热区提供高压环境；所述加热区和和所述增压区设有测温传感电阻。
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