[发明专利]光掩模基板及制造方法、光掩模制造方法和图案转印方法有效
申请号: | 201210187324.1 | 申请日: | 2012-06-07 |
公开(公告)号: | CN102819182A | 公开(公告)日: | 2012-12-12 |
发明(设计)人: | 池边寿美;田中敏幸 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
主分类号: | G03F1/60 | 分类号: | G03F1/60;G03F1/38;G03F7/00;G02F1/1333 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李伟;王轶 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及光掩模基板及其制造方法、光掩模制造方法和图案转印方法,即使是精细化的转印用图案,也能够忠实于图案设计值高精度地进行转印。该光掩模基板用于成为光掩模,该光掩模在主表面形成转印用图案,通过安装于接近式曝光装置,与曝光装置的载置台所载置的被转印体之间设置接近间隙地被曝光来进行转印,该光掩模基板通过在主表面上的1个或者多个特定区域进行除去量与特定区域外的周边区域不同的形状加工,形成凹形状、凸形状或者凹凸形状,来降低将光掩模基板安装到曝光装置时产生的接近间隙的基于位置的变动,并且形状加工使从接近间隙的基于位置的变动中提取出的曝光装置所固有的变动降低。 | ||
搜索关键词: | 光掩模基板 制造 方法 光掩模 图案 | ||
【主权项】:
一种光掩模基板,用于形成为光掩模,该光掩模在主表面形成转印用图案,用于通过安装于接近式曝光装置而与所述接近式曝光装置的载置台所载置的被转印体之间设置接近间隙地进行曝光,来转印所述转印用图案,该光掩模基板的特征在于,通过在所述主表面上的1个或者多个特定区域中进行除去量与该特定区域外的周边区域不同的形状加工,形成凹形状、凸形状或者凹凸形状,来降低将所述光掩模基板安装到所述接近式曝光装置时产生的所述接近间隙的由位置引起的变动,并且,所述形状加工使从所述接近间隙的由位置引起的变动中提取出的所述接近式曝光装置所固有的变动降低。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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