[发明专利]一种大尺寸钒酸铋单晶的制备方法有效

专利信息
申请号: 201210188943.2 申请日: 2012-06-11
公开(公告)号: CN102677172A 公开(公告)日: 2012-09-19
发明(设计)人: 李国岭;李立本;王丹丹;陈志红;黄东;陈庆东 申请(专利权)人: 河南科技大学
主分类号: C30B29/30 分类号: C30B29/30;C30B15/00
代理公司: 洛阳公信知识产权事务所(普通合伙) 41120 代理人: 孙笑飞
地址: 471000 河*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 一种大尺寸钒酸铋单晶的制备方法,将Bi2O3和V2O5按1:1的摩尔比混合压制成料块后装入刚玉杯中,在温度800oC下烧结10小时;烧结后装入直径150mm、高80mm、壁厚2.2mm的铱坩埚,然后放入单晶提拉炉,提拉炉内冲入N2气氛,使炉中氧分压为1%;以<100>方向的YVO4晶体作为籽晶,控制铱坩埚底部温度为960—980oC,生长晶体提拉速度为1mm/h,转速为8rpm;晶体停止生长后,放置24小时,取出,即获得BiVO4单晶。以铱坩埚替代铂坩埚,显著降低了成本;以YVO4晶体替代铂丝作为籽晶,以氧气分压为1%的氮气氛作为生长气氛,提高了晶体生长的稳定性,增大了晶体尺寸。
搜索关键词: 一种 尺寸 钒酸铋单晶 制备 方法
【主权项】:
一种大尺寸钒酸铋单晶的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:(1)、将纯度为99.99%的Bi2O3和V2O5按1:1的摩尔比均匀混合,然后压制成料块;(2)、将步骤(1)压制的料块装入刚玉杯中,然后放置到马弗炉内,在温度为800 oC的条件下,恒温烧结10小时;(3)、将步骤(2)烧结后的原料装入直径150mm、高80mm、壁厚2.2mm的铱坩埚,然后放入单晶提拉炉中,在提拉炉内冲入N2气氛,并保留适量空气,使炉中氧分压为1%;(4)、以<100>方向的YVO4晶体作为籽晶; (5)、启动单晶提拉炉,控制铱坩埚底部温度为960—980 oC,生长晶体提拉速度为1 mm/h,转速为8 rpm;(6)、晶体停止生长后,关闭单晶提拉炉,放置24小时,使生长的晶体冷却至室温;(7)、将生长的晶体取出,即获得直径100 mm以上,高度60 mm以上的BiVO4单晶。
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