[发明专利]自生氮化硅晶须增韧碳化钨复合材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201210189035.5 申请日: 2012-06-08
公开(公告)号: CN102701773A 公开(公告)日: 2012-10-03
发明(设计)人: 李小强;郑东海;李元元;屈盛官;杨超 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: C04B35/81 分类号: C04B35/81;C04B35/56;C04B35/622
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 代理人: 盛佩珍
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种自生氮化硅(β-Si3N4)晶须增韧碳化钨复合材料及其制备方法。所述碳化钨复合材料包含氮化硅晶须、氧化钇与氧化铝添加剂,其余为碳化钨以及不可避免的杂质相;所述氮化硅晶须为原位自生β-Si3N4晶须,其晶须的长径比≥3。自生氮化硅晶须增韧碳化钨复合材料的制备方法包括配比原料粉末;湿式低能球磨混合浆料;粉末干燥与过筛;采用放电等离子烧结技术成型和烧结混合粉末。本发明是由原位自生β-Si3N4晶须增韧的不含有任何金属粘结相的WC复合材料,它具有优良的硬度、耐磨性和高温力学性能,以及中等的韧性。本发明制备方法很好地解决了通常外加陶瓷晶须时遇到的晶须容易相互缠绕、团聚,难以分散等问题。
搜索关键词: 自生 氮化 硅晶须增韧 碳化 复合材料 及其 制备 方法
【主权项】:
自生氮化硅晶须增韧碳化钨复合材料,其特征在于:所述碳化钨复合材料含氮化硅晶须、氧化钇与氧化铝添加剂,其余为碳化钨以及不可避免的杂质相;所述氮化硅晶须为原位自生β‑Si3N4晶须,其质量百分比为3.7~18.6%;所述氧化钇添加剂的质量百分比为0.1~1.2%;所述氧化铝添加剂的质量百分比为0.1~1.2%。
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