[发明专利]ZnO体单晶的Sb离子注入掺杂及退火激活方法无效
| 申请号： | 201210189488.8 | 申请日： | 2012-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN102691108A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 谢辉;赵有文 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C30B31/22 | 分类号： | C30B31/22;C30B33/02;C30B29/16 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种ZnO体单晶的Sb离子注入掺杂及退火激活方法，包括：采用SRIM软件程序模拟多种能量和剂量的Sb离子注入掺杂ZnO体单晶；按照SRIM模拟得到的多种能量和剂量的Sb离子对ZnO体单晶样品分别进行注入掺杂；ZnO体单晶表面沉积保护层防止Sb原子的外扩散；对Sb离子注入掺杂的ZnO体单晶样品分别进行900℃和1000℃快速退火激活，退火时间1-3分钟。利用本发明，由于离子注入可调节注入离子的能量和剂量，所以通过多种能量和剂量的Sb离子注入可精确控制掺杂的深度和浓度。 | ||
| 搜索关键词： | zno 体单晶 sb 离子 注入 掺杂 退火 激活 方法 | ||
【主权项】：
一种ZnO体单晶的Sb离子注入掺杂及退火激活方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：采用SRIM软件程序模拟多种能量和剂量的Sb离子注入掺杂ZnO体单晶；步骤2：按照SRIM模拟得到的多种能量和剂量的Sb离子对ZnO体单晶样品分别进行注入掺杂；步骤3：ZnO体单晶表面沉积保护层防止Sb原子的外扩散；步骤4：对Sb离子注入掺杂的ZnO体单晶样品分别进行900℃和1000℃快速退火激活，退火时间1‑3分钟。
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