[发明专利]一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示装置有效
| 申请号： | 201210189693.4 | 申请日： | 2012-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN102723365A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 金在光;李小和;其他发明人请求不公开姓名 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示装置，涉及显示器制造领域，通过两次曝光分别形成源极和漏极，可以实现沟道长度减小，达到提高薄膜晶体管充电能力的目的。一种薄膜晶体管，包括：基板、所述基板上的栅极、覆盖所述栅极的栅绝缘层、位于所述栅绝缘层上方的有源层，在所述有源层上方形成有源极和漏极，覆盖所述源极和漏极的保护层，其中在所述源极和漏极之间形成有第一沟道，所述漏极和所述源极为通过两次构图工艺制作形成。本发明实施例应用于薄膜晶体管及阵列基板制造。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制造 方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：基板、所述基板上的栅极、覆盖所述栅极的栅绝缘层、位于所述栅绝缘层上方的有源层，在所述有源层上方形成有源极和漏极，覆盖所述源极和漏极的保护层，其中在所述源极和漏极之间形成有第一沟道，其特征在于，所述漏极和所述源极为通过两次构图工艺制作形成。
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