[发明专利]硅片处理过程中产生的废硅料的清洗方法有效
申请号: | 201210189738.8 | 申请日: | 2012-06-08 |
公开(公告)号: | CN102694074A | 公开(公告)日: | 2012-09-26 |
发明(设计)人: | 冯文宏;刘俊飞 | 申请(专利权)人: | 英利能源(中国)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 吴贵明;余刚 |
地址: | 071051 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明公开了一种硅片处理过程中产生的废硅料的清洗方法。该方法包括以下步骤:1)将待清洗的废硅料放入混合酸液中浸泡,然后用纯水漂洗;2)将经过混合酸液浸泡的废硅料放入碱液中浸泡,然后用纯水漂洗;3)将废硅料放入盐酸溶液中浸泡,然后用纯水漂洗、烘干,其中,混合酸液是电池制备过程产生的废弃酸液。应用本发明的技术方案,既能有效地彻底清除废硅料表面及嵌入较深的杂质,又不会造成硅料损失,由于大多的杂质是通过酸蚀或碱蚀去除的,不需要人工打磨,所以工作效率提高。另外,混合酸液是电池制备过程中废弃的酸液,不仅节约了成本,还为废水处理、减排降耗做出了贡献。 | ||
搜索关键词: | 硅片 处理 过程 产生 废硅料 清洗 方法 | ||
【主权项】:
一种硅片处理过程中产生的废硅料的清洗方法,其特征在于,包括以下步骤:1)将待清洗的废硅料放入混合酸液中浸泡,然后用纯水漂洗;2)将经过混合酸液浸泡的所述废硅料放入碱液中浸泡,然后用纯水漂洗;3)将所述废硅料放入盐酸溶液中浸泡,然后用纯水漂洗、烘干,其中,所述混合酸液是电池制备过程产生的废弃酸液。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
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