[发明专利]一种表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法无效
| 申请号： | 201210189991.3 | 申请日： | 2012-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN102709426A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 宋超;刘榕;张建宝 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 36100 | 代理人： | 胡里程 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开一种具有表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法，其步骤为：采用金属有机化学气相沉积的方法，在半导体衬底上依次生长低温GaN缓冲层、不掺杂GaN层、n-GaN层、多量子阱层和P-GaN层，形成GaN外延片；将GaN外延片进入PECVD设备，使沉积物为纳米岛状；利用纳米岛作为刻蚀掩膜，形成表面粗化的外延片；再将GaN外延片的一侧进行刻蚀，形成台面；在外延片的上表面蒸镀一层ITO薄膜;在GaN外延片的P-GaN上制作P电极，在n-GaN上制作N电极，完成器件制备。本发明的优点在于：不需要光刻，刻蚀粗化过程自动去除掩模，工艺简单，成本低，粗化效果好，光提取效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面 gan led 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
一种具有表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法，其步骤：步骤1：采用金属有机化学气相沉积的方法，在半导体衬底上依次生长低温GaN缓冲层、不掺杂GaN层、n‑GaN层、多量子阱层和P‑GaN层，形成GaN外延片；步骤2：GaN外延片进入PECVD设备，短时间低温沉积氧化硅或者氮化硅，控制参数，使沉积物为纳米岛状；步骤3：利用纳米岛状沉积物作为刻蚀掩膜，对外延片进行刻蚀，形成表面粗化的外延片；步骤4：在将GaN外延片的一侧进行刻蚀，形成台面；步骤5：在外延片的上表面蒸镀一层ITO薄膜 ;步骤6：在GaN外延片的P‑GaN上制作P电极，在n‑GaN上制作N电极，完成器件制备。
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