[发明专利]一种提高发光二极管发光效率的方法无效
| 申请号： | 201210190079.X | 申请日： | 2012-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN102709424A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 韩杰;魏世桢 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 36100 | 代理人： | 胡里程 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种提高发光二极管发光效率的结构，该二极管外延片结构从下向上的顺序依次为衬底、低温缓冲层、高温缓冲层、N型层、N型层、电流扩展层、N型层、发光层MWQ、P型层、P型层、P型层。电流扩展层6采用超晶格结构组成，提高了发光效率和抗静电能力。本发明的优点在于：本发明所述的这种外延生长工艺的设计不仅使电流分布更加均匀，而且可以降低工作电压，提升ESD良率，改善漏电。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 发光二极管 发光 效率 方法 | ||
【主权项】：
一种提高发光二极管发光效率的结构，该二极管外延片结构从下向上的顺序依次为衬底（1）、低温缓冲层（2）、高温缓冲层（3）、N型层（4）、N型层（5）、电流扩展层 （6）、N型层（7）、发光层MQW （8）、P型层（9）、P型层（10）、 P型层（11）；其特征在于：电流扩展层（6）采用了超晶格结构组成， 并且N型层（7）的总厚度不超过50nm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电股份有限公司，未经华灿光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210190079.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：开合帘电机
- 下一篇：一种射频功率检测电路
