[发明专利]半导体存储器件及其操作方法有效
| 申请号： | 201210191049.0 | 申请日： | 2012-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN102820058B | 公开（公告）日： | 2017-06-16 |
| 发明（设计）人： | 林相吾;赵浩烨 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人： | 俞波,郭放 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括用于响应于时钟信号和虚设计数时钟而产生计数时钟的计数时钟发生单元；用于响应于所述计数时钟而产生列地址的列地址发生单元；以及用于响应于所述列地址而将储存在页缓冲器单元中的数据发送到数据线的Y译码器。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件，包括：计数时钟发生单元，所述计数时钟发生单元用于响应于时钟信号和虚设计数时钟而产生计数时钟，所述时钟信号响应于由外部设备提供的读取使能信号而产生且在数据输出操作期间被触发；列地址发生单元，所述列地址发生单元用于响应于所述计数时钟而产生列地址；以及Y译码器，所述Y译码器用于响应于所述列地址而将储存在页缓冲器单元中的数据发送到数据线，其中，所述虚设计数时钟在所述数据输出操作之前被触发设定的数目，以及所述Y译码器在所述数据输出操作之前响应于所述列地址而开始将所述数据发送到所述数据线。
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