[发明专利]降低高压半导体器件上的RF噪声的双DNW隔离结构有效
| 申请号： | 201210192139.1 | 申请日： | 2012-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN103199085A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 黄崎峰;陈家忠;梁其翔;李孝纯 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种位于半导体器件中的隔离结构吸收电子噪声，并且防止衬底漏电流到达其它器件和信号。该隔离结构提供双深N阱（“DNW”）隔离结构，DNW隔离结构围绕RF（射频）器件或其它电子噪声源。该DNW隔离结构延伸到衬底中到达至少大约2.5μm的深度处并且可以连接至VDD。在一些实施例中，还提供了P+保护环并且P+保护环设置在双DNW隔离结构内部、外部或双DNW隔离结构之间。本发明还提供了降低高压半导体器件上的RF噪声的双DNW隔离结构。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 高压 半导体器件 rf 噪声 dnw 隔离 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：RF器件，形成在衬底上方；第一深N阱（DNW）杂质区，形成在所述衬底中并且围绕所述RF器件；以及第二DNW杂质区，形成在所述衬底中并且围绕所述第一DNW杂质区。
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