[发明专利]一种含金属类金刚石薄膜制备方法有效
| 申请号： | 201210193088.4 | 申请日： | 2012-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN102703858A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 于翔;秦月;王成彪;付志强;彭志坚;岳文 | 申请（专利权）人： | 中国地质大学（北京） |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/46 |
| 代理公司： | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人： | 蒋常雪 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种含金属类金刚石薄膜制备方法，所述方法为采用多离子束辅助沉积系统（IBAD）、通过调节溅射靶材的溅射气体压力、脉冲基体负偏压和靶电流，采用在基体中加入非碳化物形成元素，制备类金刚石薄膜，所得到的类金刚石薄膜在保持高硬度的同时改善了薄膜的结合力，提高了薄膜的韧性。本发明是在金属基体上沉积一种含非碳化物形成元素(如：Ag)的类金刚石薄膜，用以克服中频磁控溅射镀膜方法带来的载能粒子能量及流量不能精确控制的缺点，并使该薄膜具有高硬度、低摩擦系数、良好膜基结合力等优点，并能保持一定韧性，有效减少薄膜在工作过程中产生裂纹，起皱和分层的现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 金刚石 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种含金属类金刚石薄膜制备方法，其特征在于：所述方法为采用多离子束辅助沉积系统IBAD、通过调节溅射靶材的溅射气体压力、脉冲基体负偏压以及离子源电压、电流，采用在基体中加入非碳化物形成元素，制备类金刚石薄膜，所得到的类金刚石薄膜在保持高硬度的同时改善了薄膜的结合力，提高了薄膜的韧性。
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