[发明专利]陶瓷基片双面光刻工艺及结构无效
申请号: | 201210193526.7 | 申请日: | 2012-06-13 |
公开(公告)号: | CN103489789A | 公开(公告)日: | 2014-01-01 |
发明(设计)人: | 刘毅楠 | 申请(专利权)人: | 刘毅楠 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;G03F7/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215129 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种陶瓷基片双面光刻结构,该双面光刻结构包括一支撑框架,支撑框架的上端设有上掩模板,支撑框架的下端设有下掩模板,上掩模板的上方及下掩模板的下方各设有一曝光装置,上掩模板、下掩模板之间设有一陶瓷基片支撑架,陶瓷基片支撑架上设有陶瓷基片,上掩模板、陶瓷基片、下掩模板三者的中心位置上下对应。该陶瓷基片双面光刻结构在陶瓷基片的上方、下方同时设置掩模板,通过上下两个曝光装置同时对陶瓷基片的上下表面进行曝光,这样就可保证陶瓷基片上下表面金属图形的位置绝对吻合,不会出现偏移,从而可有效保证陶瓷基片的质量,提高产品的合格率,采用这种方式还可有效提高生产效率,降低企业生产成本。 | ||
搜索关键词: | 陶瓷 双面 光刻 工艺 结构 | ||
【主权项】:
一种陶瓷基片双面光刻工艺,其特征在于,其包括如下步骤:1)根据陶瓷基片上下表面金属图形要求制作相应的上掩模板和下掩模板;2)将陶瓷基片进行双面溅渡,并在陶瓷基片的上下表面上均涂布上光刻胶;3)将上掩模板设置在陶瓷基片上方,下掩模板设置在陶瓷基片下方,通过一定位装置使上掩模板、陶瓷基片、下掩模板三者的中心位置上下对应;4)在上掩模板的上方、下掩模板的下方分别设置一曝光装置,通过上下两个曝光装置分别对陶瓷基片的上下表面进行曝光处理;5)对曝光后的陶瓷基片进行显影处理,并进行清洗,在清洗后的陶瓷基片表面镀金属层,最后将镀金属层的陶瓷基片使用丙酮溶液进行清洗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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