[发明专利]一种有机半导体纳米线的制备工艺无效

专利信息
申请号: 201210193833.5 申请日: 2012-06-13
公开(公告)号: CN102738416A 公开(公告)日: 2012-10-17
发明(设计)人: 王军;胡玉磊;刘娜 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56
代理公司: 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 代理人: 顾勇华
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种制备有机半导体纳米线的方法。提供一种制备成本低廉,工艺简单,可用于工业大规模制备有机纳米线的方法。在称量瓶中加入一定量的有机溶剂,然后加入已经称量的有机半导体材料作为溶质。最终配置溶液浓度在0.3-1.5mg/mL。在称量瓶中放入磁力搅拌子,接着在超声机中超声25-30分钟。超声完后,将称量瓶擦干并放置在数字式加热搅拌器上,调节加热温度在45-50℃,搅拌速率为200-700rpm,静置12小时。静置后过滤获得滤液。选取表面干净基板衬底放入适当承载容器中,并将承载容器放入密闭容器。密闭容器中盛有配置溶液所需溶剂用来保持溶剂气氛,溶剂体积与密闭容器体积比在0.02-0.1之间。接着将滤液滴入到干净基板上,溶液体积与基板面积比例为80-82µL/cm2,密闭静置。环境温度保持在21~26℃。静置24~72小时后,即可在基板上得到有机纳米线。这种纳米线材料在有机光电子器件中具有十分广泛的应用前景。
搜索关键词: 一种 有机半导体 纳米 制备 工艺
【主权项】:
一种制备有机半导体纳米线的工艺方法,其特征在于其步骤为:(a)在称量瓶中加入一定量的溶剂乙醇,然后加入已经称量的有机半导体材料酞菁氧钛用作溶质;最终配置溶液浓度在0.3‑1.5mg/mL;(b)在称量瓶中放入磁力搅拌子,接着在超声机中超声25‑30分钟;(c)超声完后,将称量瓶擦干并放置在数字式加热搅拌器上,调节加热温度在45‑50℃,搅拌速率为200‑700rpm,静置12‑24小时;(d)静置后过滤获得滤液;选取表面干净的镀有二氧化硅的硅片作为基板衬底放在承载容器内;并将承载容器放在密闭容器中;密闭容器中盛有乙醇溶剂;选用的乙醇溶剂体积与密闭容器体积比在0.02‑0.1之间;接着将上述滤液滴入到上述基板衬底上;滤液体积与基板衬底面积比例为80‑82µL/cm2,密闭静置;环境温度保持在21‑26℃;静置24‑72小时后,即可在所述基板衬底上得到有机纳米线。
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