[发明专利]一种有机半导体纳米线的制备工艺无效
申请号: | 201210193833.5 | 申请日: | 2012-06-13 |
公开(公告)号: | CN102738416A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 王军;胡玉磊;刘娜 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56 |
代理公司: | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人: | 顾勇华 |
地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种制备有机半导体纳米线的方法。提供一种制备成本低廉,工艺简单,可用于工业大规模制备有机纳米线的方法。在称量瓶中加入一定量的有机溶剂,然后加入已经称量的有机半导体材料作为溶质。最终配置溶液浓度在0.3-1.5mg/mL。在称量瓶中放入磁力搅拌子,接着在超声机中超声25-30分钟。超声完后,将称量瓶擦干并放置在数字式加热搅拌器上,调节加热温度在45-50℃,搅拌速率为200-700rpm,静置12小时。静置后过滤获得滤液。选取表面干净基板衬底放入适当承载容器中,并将承载容器放入密闭容器。密闭容器中盛有配置溶液所需溶剂用来保持溶剂气氛,溶剂体积与密闭容器体积比在0.02-0.1之间。接着将滤液滴入到干净基板上,溶液体积与基板面积比例为80-82µL/cm2,密闭静置。环境温度保持在21~26℃。静置24~72小时后,即可在基板上得到有机纳米线。这种纳米线材料在有机光电子器件中具有十分广泛的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 有机半导体 纳米 制备 工艺 | ||
【主权项】:
一种制备有机半导体纳米线的工艺方法,其特征在于其步骤为:(a)在称量瓶中加入一定量的溶剂乙醇,然后加入已经称量的有机半导体材料酞菁氧钛用作溶质;最终配置溶液浓度在0.3‑1.5mg/mL;(b)在称量瓶中放入磁力搅拌子,接着在超声机中超声25‑30分钟;(c)超声完后,将称量瓶擦干并放置在数字式加热搅拌器上,调节加热温度在45‑50℃,搅拌速率为200‑700rpm,静置12‑24小时;(d)静置后过滤获得滤液;选取表面干净的镀有二氧化硅的硅片作为基板衬底放在承载容器内;并将承载容器放在密闭容器中;密闭容器中盛有乙醇溶剂;选用的乙醇溶剂体积与密闭容器体积比在0.02‑0.1之间;接着将上述滤液滴入到上述基板衬底上;滤液体积与基板衬底面积比例为80‑82µL/cm2,密闭静置;环境温度保持在21‑26℃;静置24‑72小时后,即可在所述基板衬底上得到有机纳米线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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