[发明专利]提高电场传感器的灵敏度的方法、存储设备及再现方法无效
| 申请号： | 201210194943.3 | 申请日： | 2008-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN102760458A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 全大暎;闵桐基;高亨守;洪承范 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11B9/02 | 分类号： | G11B9/02;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种提高电场传感器的灵敏度的方法、存储设备及再现方法。该存储设备包括：铁电记录介质；电场传感器，包括源区、漏区和电阻区，所述电阻区将源区电连接到漏区并具有电阻，所述电阻根据由铁电记录介质的电畴的极化电压引起的电场的强度而变化；电压施加单元，在源区和漏区之间施加电压；再现信号检测单元，包括至少一个负电阻器，所述至少一个负电阻器安装在将漏区连接到电压施加单元的电路中，用于检测漏区和所述至少一个负电阻器之间的电压的变化。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 电场 传感器 灵敏度 方法 存储 设备 再现 | ||
【主权项】：
一种具有提高的灵敏度的电场传感器，该电场传感器包括：源区；漏区；将源区电连接到漏区的电阻区，该电阻区具有根据电场的强度而变化的电阻，通过检测流过电阻区的漏电流的变化来检测电场的变化；至少一个负电阻器，连接到漏区。
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