[发明专利]化合物半导体组件晶圆整合结构

摘要

本发明关于一种化合物半导体组件晶圆整合结构，由下至上依序包括一基板、一第一磊晶层、一蚀刻终止层、一第二磊晶层、一次集极层、一集极层、一基极层以及一射极层，其中该第一磊晶层为一p型掺杂层，该第二磊晶层为一n型渐变掺杂层，其掺杂浓度从下到上为递减或递增，而该次集极层为一n型掺杂层；此晶圆整合结构可用以形成一异质接面双极晶体管(HBT)、一变容二极管(Varactor)或一半导体场效晶体管(MESFET)。

主权项

一种化合物半导体组件晶圆整合结构，依序包括：一基板；一第一磊晶层，位于该基板之上，为一p型掺杂层；一蚀刻终止层，位于该第一磊晶层之上，为一n型掺杂层；一第二磊晶层，位于该蚀刻终止层之上，为一n型渐变掺杂层，其掺杂浓度从下到上为递减或递增；一次集极层，位于该第二磊晶层之上，为一n型掺杂层；一集极层，位于该次集极层之上，为一n型掺杂层；一基极层，位于该集极层之上，为一p型掺杂层；以及一射极层，位于该基极层之上，为一n型掺杂层。