[发明专利]用于FinFET器件的具有共形多晶硅层的复合伪栅极有效
| 申请号： | 201210195125.5 | 申请日： | 2012-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN103219367A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 黄渊圣;解子颜;张铭庆;陈昭成;陈嘉仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种FinFET。该FinFET包括形成在衬底上方的鳍状结构。栅极介电层至少部分地包裹鳍状结构的一部分。该栅极介电层包含高-k栅极介电材料。该FinFET包括共形地形成在栅极介电层上的多晶硅层。该FinFET包括形成在多晶硅层上方的金属栅电极层。本发明提供了一种制造FinFET的方法。该方法包括提供鳍状结构，该鳍状结构包含半导体材料。该方法包括：在鳍状结构上方形成栅极介电层；栅极介电层至少部分地包裹鳍状结构。该方法包括在栅极介电层上方形成多晶硅层，其中以共形方式形成多晶硅层。该方法包括在多晶硅层上方形成伪栅极层。本发明提供一种用于FinFET器件的具有共形多晶硅层的复合伪栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 finfet 器件 具有 多晶 复合 栅极 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：晶体管，包括：半导体层，设置在衬底上方，所述半导体层具有鳍状结构；栅极介电层，包裹至少一部分的所述半导体层；多晶硅层，以共形方式设置在所述栅极介电层上方；以及金属栅电极层，设置在所述多晶硅层上方。
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