[发明专利]半导体装置

摘要

本发明提供一种柱电极的不良品发生频率低的半导体装置。半导体装置具有布线（109），配置在半导体基板上；柱状的柱电极（213），具有与该布线（109）连接的底部、底部的相反侧的顶部、将底部和顶部连结的侧面，柱电极（213）包括利用电镀处理形成的第一柱电极（213a）和利用电镀处理在第一柱电极上形成的第二柱电极（213b），在柱电极（213）的侧面，在比第一柱电极（213a）和第二柱电极（213b）的接合位置（230）高的位置，在圆周方向上形成有长的外周突起部（240）。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具有：布线，配置在半导体基板上；以及柱状的柱电极，具有与所述布线连接的底部、所述底部的相反侧的顶部、以及将所述底部和所述顶部连结的侧面，所述柱电极包括：利用电镀处理形成的第一柱电极；利用电镀处理在所述第一柱电极上形成的第二柱电极，在所述柱电极的所述侧面，在比所述第一柱电极和所述第二柱电极的接合位置高的位置，在圆周方向上形成有长的外周突起部，所述第一柱电极和所述第二柱电极为相同材料。