[发明专利]一种MEMS微结构的制备方法有效
| 申请号： | 201210196631.6 | 申请日： | 2012-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN103482563A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 姚日英;王祝山;张国华;黄国华 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MEMS微结构的制备方法，包括以下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成聚酰亚胺牺牲层并预固化；在所述聚酰亚胺牺牲层表面形成掩膜层；去除形成在所述半导体衬底边缘部分的所述掩膜层；去除未被所述掩膜层保护的所述聚酰亚胺牺牲层；去除剩余的所述掩膜层；固化所述聚酰亚胺牺牲层。根据本发明实施例的方法，可以避免MEMS微结构制备过程中芯片边缘的结构层发生破裂的现象，提高MEMS微结构的片内成品率，有利于获得品质均一的悬空微结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 微结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种MEMS微结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成聚酰亚胺牺牲层并预固化；在所述聚酰亚胺牺牲层表面形成掩膜层；去除形成在所述半导体衬底边缘部分的所述掩膜层；去除未被所述掩膜层保护的所述聚酰亚胺牺牲层；去除剩余的所述掩膜层；固化所述聚酰亚胺牺牲层。
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