[发明专利]一种碲化镉薄膜制备方法及其使用的装置无效
申请号: | 201210197215.8 | 申请日: | 2012-06-15 |
公开(公告)号: | CN103489957A | 公开(公告)日: | 2014-01-01 |
发明(设计)人: | 刘志强;蒋猛 | 申请(专利权)人: | 无锡尚德太阳能电力有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C23C14/06;C23C14/24 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 214028 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种碲化镉薄膜制备方法及其使用的装置,包括将单质碲加热气化后形成碲蒸汽、以及将单质镉加热气化后形成镉蒸汽;用携带气体分别运载所述碲蒸汽和所述镉蒸汽并将所述碲蒸汽和镉蒸汽混合均匀得到碲镉混合蒸汽;所述携带气体再将所述碲镉混合蒸汽携带至衬底。本发明以碲、镉单质作为原料,采用碲、镉单质独立蒸发源,通过气相分子混合方法制备碲化镉薄膜的方法。这样不仅降低了碲化镉太阳电池的生产成本,而且也把高纯碲化镉原料制备和碲化镉薄膜制备工艺有机的结合到了一起。 | ||
搜索关键词: | 一种 碲化镉 薄膜 制备 方法 及其 使用 装置 | ||
【主权项】:
一种制备碲化镉薄膜的装置,其特征在于:包括用于加热以气化单质碲的第一原料加热腔和用于加热以气化单质镉的第二原料加热腔;所述第一原料加热腔设有用于把所述第一原料加热腔内气化的碲蒸汽和携带气体导出的第一气体导出管;所述第二原料加热腔设有用于把所述第二原料加热腔内气化的镉蒸汽和携带气体导出的第二气体导出管;所述第一气体导出管和第二气体导出管均连通至一气体混合装置;所述气体混合装置的出口朝向一衬底设置。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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